| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.77 EUR |
| 10+ | 27.14 EUR |
| 25+ | 26.04 EUR |
| 50+ | 25.91 EUR |
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Technische Details IS43LD32640B-25BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4, Bauform - Speicherbaustein: BGA, DRAM-Dichte: 2, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.2, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 400, Anzahl der Pins: 134, Produktpalette: IS43LD, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote IS43LD32640B-25BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS43LD32640B-25BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
 Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 2 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.2 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Anzahl der Pins: 134 Produktpalette: IS43LD Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS43LD32640B-25BLI |
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Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 2
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.2
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 134
Produktpalette: IS43LD
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 2
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.2
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 134
Produktpalette: IS43LD
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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