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IS43LR32160C-6BL

IS43LR32160C-6BL ISSI


178474287161862143-46lr32160c.pdf Hersteller: ISSI
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
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Technische Details IS43LR32160C-6BL ISSI

Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.5 ns, Memory Organization: 16M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IS43LR32160C-6BL IS43LR32160C-6BL Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46LR32160C.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43LR32160C-6BL IS43LR32160C-6BL Hersteller : ISSI 43_46LR32160C-319031.pdf DRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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