| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.09 EUR |
| 10+ | 18.68 EUR |
| 25+ | 18.1 EUR |
| 50+ | 17.67 EUR |
| 100+ | 16.7 EUR |
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Technische Details IS43LR32160C-6BLI ISSI
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.5 ns, Memory Organization: 16M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IS43LR32160C-6BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS43LR32160C-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGAPackaging: Tray Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 16M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43LR32160C-6BLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IS43LR32160C-6BLI | ISSI |
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43LR32160C-6BLI |
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS43LR32160C-6BLI |
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Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS43LR32160C-6BLI |
|
Hersteller: ISSI
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH