Produkte > ISSI > IS43QR16512A-075VBL
IS43QR16512A-075VBL

IS43QR16512A-075VBL ISSI


43_46QR81024A_16512A-2298253.pdf Hersteller: ISSI
DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s a. 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+54.18 EUR
10+ 50.44 EUR
25+ 49.92 EUR
50+ 48.7 EUR
100+ 42.74 EUR
272+ 42.48 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IS43QR16512A-075VBL ISSI

Description: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/, Packaging: Bulk, Package / Case: 96-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, Technology: SDRAM - DDR4, Clock Frequency: 1.333 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 18 ns, Memory Organization: 512M x 16.

Weitere Produktangebote IS43QR16512A-075VBL

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IS43QR16512A-075VBL Hersteller : ISSI is46qr81024a-075vbla2.pdf DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin TW-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
IS43QR16512A-075VBL Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Description: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.333 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar