IS46LQ32512A-053BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details IS46LQ32512A-053BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IS46LQ32512A-053BLA2 nach Preis ab 145.81 EUR bis 224.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IS46LQ32512A-053BLA2 | ISSI |
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS |
auf Bestellung 484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS46LQ32512A-053BLA2 | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS46LQ32512A-053BLA2 |
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Hersteller: ISSI
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 173.84 EUR |
| 10+ | 160.45 EUR |
| 25+ | 155.21 EUR |
| 50+ | 151.3 EUR |
| 100+ | 145.81 EUR |
| IS46LQ32512A-053BLA2 |
![]() |
Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 16Gbit
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Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
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DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
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IC-Gehäuse / Bauform: BGA
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Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
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Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 224.11 EUR |


