Produkte > INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI > IS46LQ32512A-053BLA2
IS46LQ32512A-053BLA2

IS46LQ32512A-053BLA2 INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI

43-46LQ32512A.pdf
Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IS46LQ32512A-053BLA2 INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS46LQ32512A-053BLA2 - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, BGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IS46LQ32512A-053BLA2

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS46LQ32512A-053BLA2 IS46LQ32512A-053BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46LQ32512A.pdf Description: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS46LQ32512A-053BLA2 IS46LQ32512A-053BLA2 ISSI Integrated-Silicon-Solution_11-12-2024_43-46LQ32512A.pdf DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS46LQ32512A-053BLA2 43-46LQ32512A.pdf
IS46LQ32512A-053BLA2
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS46LQ32512A-053BLA2 Integrated-Silicon-Solution_11-12-2024_43-46LQ32512A.pdf
IS46LQ32512A-053BLA2
Hersteller: ISSI
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH