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Technische Details IS61LF51218B-7.5TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Mounting: SMD, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Access time: 7.5ns, Anzahl je Verpackung: 72 Stücke.
Weitere Produktangebote IS61LF51218B-7.5TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IS61LF51218B-7.5TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns Anzahl je Verpackung: 72 Stücke |
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| IS61LF51218B-7.5TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns |
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