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Technische Details IS61LPS51218B-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: QFP100, Mounting: SMD, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 512kx18bit, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Access time: 3.1ns.
Weitere Produktangebote IS61LPS51218B-200TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| IS61LPS51218B-200TQLI | ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: QFP100 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx18bit Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Access time: 3.1ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61LPS51218B-200TQLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: QFP100
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 3.1ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: QFP100
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
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Memory organisation: 512kx18bit
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