IS61NLP12836EC-200B3LI-TR ISSI
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Technische Details IS61NLP12836EC-200B3LI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Operating voltage: 3.3V, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Memory: 4.5Mb SRAM, Case: TFBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Access time: 3.1ns, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
Weitere Produktangebote IS61NLP12836EC-200B3LI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Operating voltage: 3.3V Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Case: TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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/165-TBGA.jpg "IS61NLP12836EC-200B3LI-TR") |
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA |
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IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI |
SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS |
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| IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Operating voltage: 3.3V Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Case: TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns |
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