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Technische Details IS61NLP25636A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Operating voltage: 3.3V, Access time: 200ns, Case: TQFP100, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube.
Weitere Produktangebote IS61NLP25636A-200TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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%20Renders/706;-100LQFP-1.6-14x20;-;-100.jpg "IS61NLP25636A-200TQLI") |
IS61NLP25636A-200TQLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS61NLP25636A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IS61NLP25636A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 256kx36bit Operating voltage: 3.3V Access time: 200ns Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
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