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IS61NLP51218B-200TQLI-TR ISSI


61NLP_NVP25636B_51218B.pdf
Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
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Technische Details IS61NLP51218B-200TQLI-TR ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel, Kind of memory: SRAM, Mounting: SMD, Access time: 3.1ns, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 512kx18bit, Kind of package: reel; tape, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS61NLP51218B-200TQLI-TR ISSI IS61NLP25636A-200B3LI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.1ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Kind of package: reel; tape
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
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IS61NLP51218B-200TQLI-TR IS61NLP25636A-200B3LI.pdf
Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.1ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Kind of package: reel; tape
Case: QFP100
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