IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR ISSI
Hersteller: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Technische Details IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 1Mb SRAM, Memory organisation: 64kx16bit, Access time: 10ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Operating voltage: 2.4...3.6V, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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%20Renders/706;48TFBGA-1.2-6x8;;48.jpg "IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR") |
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 1MB 10NS HS/LP 48MBGA |
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IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR | Hersteller : ISSI |
SRAM 1Mb 2.4V-3.6V (10ns) 64K x 16 Async SRAM |
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| IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V |
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