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Technische Details IS61WV6416EEBLL-10BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 1Mb SRAM, Memory organisation: 64kx16bit, Access time: 10ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 2.4...3.6V, Anzahl je Verpackung: 480 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS61WV6416EEBLL-10BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 1MB 10NS HS/LP 48MBGA |
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| IS61WV6416EEBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V Anzahl je Verpackung: 480 Stücke |
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| IS61WV6416EEBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.4...3.6V |
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