
IS62WV12816EALL-55BLI ISSI

SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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Technische Details IS62WV12816EALL-55BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 128kx16bit, Operating voltage: 1.65...2.2V, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 55ns.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IS62WV12816EALL-55BLI | Hersteller : ISSI |
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IS62WV12816EALL-55BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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IS62WV12816EALL-55BLI | Hersteller : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Operating voltage: 1.65...2.2V Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Access time: 55ns |
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