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IS62WV25616EALL-55BLI ISSI

62-65WV25616EALL-BLL-CLL-737462.pdf
Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 256Kx16 55ns
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Technische Details IS62WV25616EALL-55BLI ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; VFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: VFBGA48, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 256kx16bit, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 1.65...2.2V, Kind of memory: SRAM, Access time: 55ns, Memory: 4Mb SRAM.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS62WV25616EALL-55BLI ISSI IS62WV25616EALL-55BLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 1.65...2.2V
Kind of memory: SRAM
Access time: 55ns
Memory: 4Mb SRAM
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 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
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IS62WV25616EALL-55BLI IS62WV25616EALL-55BLI.pdf
Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 1.65...2.2V
Kind of memory: SRAM
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