IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 4.32 EUR |
| 25+ | 4.2 EUR |
| 50+ | 4.1 EUR |
| 100+ | 4 EUR |
| 480+ | 3.79 EUR |
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Technische Details IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Weitere Produktangebote IS66WV51216EBLL-70BLI nach Preis ab 3.92 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IS66WV51216EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI |
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS |
auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS66WV51216EBLL-70BLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IS66WV51216EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI |
PSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 70ns 48-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS66WV51216EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.5...3.6V Access time: 70ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
Produkt ist nicht verfügbar |