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IS66WV51216EBLL-70BLI

IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI

66WV51216EALL-EBLL.pdf Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
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Technische Details IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IS66WV51216EBLL-70BLI IS66WV51216EBLL-70BLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 66WV51216EALL-EBLL.pdf Description: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 480 Stücke:
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10+4.56 EUR
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IS66WV51216EBLL-70BLI IS66WV51216EBLL-70BLI Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 2622047.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: Mini-BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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IS66WV51216EBLL-70BLI IS66WV51216EBLL-70BLI Hersteller : ISSI 66wv51216eall-ebll.pdf PSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 70ns 48-Pin TFBGA
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IS66WV51216EBLL-70BLI Hersteller : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A5994F224E40D5&compId=IS66WV51216EALL-70BLI.pdf?ci_sign=9c4e979cc4fed529dfd325c8c8002936edbb0162 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
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