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IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: PSRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Operating voltage: 2.7...3.6V, Access time: 70ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR | ISSI |
 SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR | ISSI |
PSRAM Async Single Port 16M-bit 1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
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| IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
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| IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
PSRAM Async Single Port 16M-bit 1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
PSRAM Async Single Port 16M-bit 1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
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