IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI
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| Anzahl | Preis |
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| 24+ | 6.16 EUR |
| 26+ | 5.49 EUR |
| 27+ | 5.08 EUR |
| 50+ | 4.72 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
| 250+ | 4.14 EUR |
| 480+ | 3.66 EUR |
| 960+ | 3.53 EUR |
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Technische Details IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Weitere Produktangebote IS66WVE4M16EBLL-70BLI nach Preis ab 3.53 EUR bis 7.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI |
 PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA |
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 4M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 5015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI |
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
auf Bestellung 5178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI |
PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 64Mb SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
Produkt ist nicht verfügbar |