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IS66WVE4M16EBLL-70BLI

IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI

66-67wve4m16eall-bll-cll.pdf
Hersteller: ISSI
PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
auf Bestellung 1953 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
24+7.5 EUR
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Technische Details IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit.

Weitere Produktangebote IS66WVE4M16EBLL-70BLI nach Preis ab 4.89 EUR bis 23.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS66WVE4M16EBLL-70BLI IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI 66-67wve4m16eall-bll-cll.pdf PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI 66_67WVE4M16EALL_BLL_CLL-462616.pdf SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 66-67WVE4M16EALL-BLL-CLL.pdf Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 2880 Stücke:
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2+11.96 EUR
10+11.14 EUR
25+10.81 EUR
50+10.54 EUR
100+10.29 EUR
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI IS66WVE4M16EBLL-70BLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 2622048.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.31 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI 66-67wve4m16eall-bll-cll.pdf
IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Hersteller: ISSI
PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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26+6.83 EUR
27+6.41 EUR
50+6.07 EUR
100+5.78 EUR
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Hersteller: ISSI
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
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50+10.54 EUR
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Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
auf Bestellung 480 Stücke:
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