Produkte > ISSI > IS66WVH8M8DALL-200B1LI
IS66WVH8M8DALL-200B1LI

IS66WVH8M8DALL-200B1LI ISSI


66_67WVH8M8DALL_BLL-2936104.pdf Hersteller: ISSI
DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.88 EUR
10+ 6.25 EUR
100+ 5.46 EUR
250+ 5.44 EUR
480+ 5.23 EUR
960+ 5.09 EUR
2880+ 4.98 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IS66WVH8M8DALL-200B1LI ISSI

Description: 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200, Packaging: Tray, Package / Case: 24-TBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: HyperBus, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 8M x 8.

Weitere Produktangebote IS66WVH8M8DALL-200B1LI

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IS66WVH8M8DALL-200B1LI Hersteller : ISSI 66-67wvh8m8dall-bll.pdf IS66WVH8M8DALL-200B1LI
Produkt ist nicht verfügbar
IS66WVH8M8DALL-200B1LI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 66-67WVH8M8DALL-BLL.pdf Description: 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 8M x 8
Produkt ist nicht verfügbar