ISA150233C03LMDSXTMA Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: ISA150233C03LMDSXTMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
auf Bestellung 497 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.68 EUR |
| 11+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
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Technische Details ISA150233C03LMDSXTMA Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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ISA150233C03LMDSXTMA | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISA150233C03LMDSXTMA | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISA150233C03LMDSXTMA | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISA150233C03LMDSXTMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
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