Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISA170170N04LMDSXTMA1
ISA170170N04LMDSXTMA1

ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies


infineonisa170170n04lmdsdatasheetv0200en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 3951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
452+0.32 EUR
487+0.28 EUR
492+0.27 EUR
512+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 452
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISA170170N04LMDSXTMA1 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonisa170170n04lmdsdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
422+0.34 EUR
448+0.31 EUR
452+0.29 EUR
487+0.26 EUR
492+0.25 EUR
512+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 422
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_ISA170170N04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a Description: ISA170170N04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonisa170170n04lmdsdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin DSO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a Description: ISA170170N04LMDSXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH