ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 326+ | 0.45 EUR |
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| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISA170170N04LMDSXTMA1 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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ISA170170N04LMDSXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A T/R |
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ISA170170N04LMDSXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISA170170N04LMDSXTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
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ISA170170N04LMDSXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISA170170N04LMDSXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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ISA170170N04LMDSXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISA170170N04LMDSXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISA170170N04LMDSXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISA170170N04LMDSXTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
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