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ISA170170N04LMDSXTMA1

ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies


infineon-isa170170n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A T/R
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Technische Details ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isa170170n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A T/R
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a Description: ISA170170N04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_ISA170170N04LMDS_DataSheet_v02_00_EN-3536255.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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100+1.21 EUR
500+1.03 EUR
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2500+0.79 EUR
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 499 Stücke:
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isa170170n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A T/R
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a Description: ISA170170N04LMDSXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
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