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ISA170230C04LMDSXTMA1

ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
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Technische Details ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: ISA170230C04LMDSXTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-DSO-8-920.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf Power-Transistor MOSFET
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ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf Description: ISA170230C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
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ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA170230C04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
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