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ISA170230C04LMDSXTMA1

ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
auf Bestellung 3978 Stücke:
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Technische Details ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf Power-Transistor MOSFET
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ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf Description: ISA170230C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
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ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA170230C04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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1+3.39 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
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ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421050.pdf Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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70+3.57 EUR
110+2.12 EUR
166+1.3 EUR
500+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Power-Transistor MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
229+0.76 EUR
247+0.68 EUR
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Description: ISA170230C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
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MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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ISA170230C04LMDSXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3948 Stücke:
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100+3.57 EUR
110+2.12 EUR
166+1.3 EUR
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