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ISA250250N04LMDSXTMA1

ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

infineon-isa250250n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 5.9A T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
396+0.44 EUR
445+0.38 EUR
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Technische Details ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISA250250N04LMDSXTMA1 nach Preis ab 0.23 EUR bis 2.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies infineon-isa250250n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.9A T/R
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ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA250250N04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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2+2.01 EUR
10+1.49 EUR
100+0.93 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.48 EUR
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ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421051.pdf Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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122+2.06 EUR
195+1.19 EUR
301+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421051.pdf Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon-ISA250250N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fd1666320 Description: ISA250250N04LMDSXTMA1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 7.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 490 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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ISA250250N04LMDSXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISA250250N04LMDSXTMA1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 7.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 167 Stücke:
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