Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISA250300C04LMDSXTMA1
ISA250300C04LMDSXTMA1

ISA250300C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

ISA250300C04LMDSXTMA1.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISA250300C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 7.9A (Tc), 5.8A (Ta), 7.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V, 30mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISA250300C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISA250300C04LMDSXTMA1 nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA250300C04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421673.pdf Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
186+1.25 EUR
285+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421673.pdf Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
186+1.25 EUR
285+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA250300C04LMDSXTMA1 Infineon_ISA250300C04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISA250300C04LMDSXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.96 EUR
10+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA250300C04LMDSXTMA1 4421673.pdf
ISA250300C04LMDSXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
186+1.25 EUR
285+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISA250300C04LMDSXTMA1 4421673.pdf
ISA250300C04LMDSXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
186+1.25 EUR
285+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH