ISC007N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 1.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISC007N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISC007N04NM6ATMA1 nach Preis ab 1.57 EUR bis 5.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC007N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC007N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V |
auf Bestellung 6571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC007N04NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
ISC007N04NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |