ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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Technische Details ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	ISC008N06LM6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V	auf Bestellung 3396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	1+ 10.7 EUR 10+ 7.02 EUR 100+ 5.21 EUR 500+ 4.38 EUR 1000+ 4.06 EUR 2500+ 3.8 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

ISC008N06LM6ATMA1

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MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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