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ISC009N03LF2SATMA1

ISC009N03LF2SATMA1 INFINEON

Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.95 EUR
117+1.83 EUR
500+1.49 EUR
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Technische Details ISC009N03LF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 341A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 188W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.

Weitere Produktangebote ISC009N03LF2SATMA1 nach Preis ab 1.12 EUR bis 5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
auf Bestellung 4552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.57 EUR
50+1.94 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC009N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN.pdf TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.12 EUR
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ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 4998 Stücke:
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50+5 EUR
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500+1.49 EUR
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ISC009N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
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TRENCH <= 40V
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ISC009N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 341A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
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