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ISC009N06LM5ATMA1

ISC009N06LM5ATMA1 INFINEON

3328488.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.91 EUR
500+5.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details ISC009N06LM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 348A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc009n06lm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.23 EUR
29+5.94 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc009n06lm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 8-Pin TSON EP T/R
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29+5.81 EUR
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ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f3b8c096992 Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.04 EUR
10+8.03 EUR
100+5.75 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 7830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.17 EUR
10+7.96 EUR
100+5.87 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.63 EUR
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ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 INFINEON 3328488.pdf Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.42 EUR
30+7.84 EUR
100+5.25 EUR
500+4.45 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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ISC009N06LM5ATMA1 International Rectifier/Infineon Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 348, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 30, Qg, нКл = 209, Rds = 0,9 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 41A 8-Pin TSON EP T/R
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Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
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ISC009N06LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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21+12.42 EUR
30+7.84 EUR
100+5.25 EUR
500+4.45 EUR
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N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 348, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 30, Qg, нКл = 209, Rds = 0,9 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
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