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ISC010N06NM5ATMA1

ISC010N06NM5ATMA1 INFINEON

Infineon-ISC010N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be8e677d07aaf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.71 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.01 EUR
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Technische Details ISC010N06NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC010N06NM5ATMA1 ISC010N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC010N06NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+5.82 EUR
100+4.14 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.97 EUR
5000+3.33 EUR
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ISC010N06NM5ATMA1 ISC010N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC010N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be8e677d07aaf Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.82 EUR
10+5.84 EUR
100+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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ISC010N06NM5ATMA1 ISC010N06NM5ATMA1 INFINEON Infineon-ISC010N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be8e677d07aaf Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2768 Stücke:
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24+10.42 EUR
33+7.18 EUR
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500+4.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+8.77 EUR
10+5.82 EUR
100+4.14 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.97 EUR
5000+3.33 EUR
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Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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ISC010N06NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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33+7.18 EUR
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