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ISC011N03L5SATMA1

ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 355000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC011N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-2399770.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 9963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.94 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+1.2 EUR
267+0.87 EUR
272+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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267+0.87 EUR
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500+0.77 EUR
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ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
18+1.23 EUR
100+1 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
94+1.83 EUR
114+1.48 EUR
250+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
91+1.84 EUR
94+1.74 EUR
114+1.37 EUR
250+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
74+2.34 EUR
100+1.87 EUR
200+1.71 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 355000 Stücke:
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MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 9963 Stücke:
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100+0.88 EUR
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ISC011N03L5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+1.2 EUR
267+0.87 EUR
272+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+1.2 EUR
267+0.87 EUR
272+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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ISC011N03L5SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.38 EUR
18+1.23 EUR
100+1 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+1.92 EUR
94+1.83 EUR
114+1.48 EUR
250+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.36 EUR
91+1.84 EUR
94+1.74 EUR
114+1.37 EUR
250+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.42 EUR
74+2.34 EUR
100+1.87 EUR
200+1.71 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.07 EUR
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