Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC011N03L5SATMA1
ISC011N03L5SATMA1

ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote ISC011N03L5SATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 355000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_ISC011N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-2399770.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 9963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.99 EUR
10+0.89 EUR
100+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 14972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.16 EUR
18+1.03 EUR
100+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.62 EUR
94+1.53 EUR
114+1.20 EUR
250+1.14 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+2.00 EUR
91+1.57 EUR
94+1.47 EUR
114+1.16 EUR
250+1.09 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+2.05 EUR
74+1.94 EUR
100+1.53 EUR
200+1.38 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : INFINEON 3154692.pdf Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : INFINEON 3154692.pdf Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH