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ISC011N04NM7VATMA1

ISC011N04NM7VATMA1 INFINEON

Infineon-ISC011N04NM7V-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197c059fa6f2521
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4970 Stücke:
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Technische Details ISC011N04NM7VATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 256A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 448_ISC011N04NM7V.pdf Description: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
auf Bestellung 4799 Stücke:
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ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 Infineon Technologies Infenion_6-24-2025_DS_ISC011N04NM7V_1_0.pdf MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
auf Bestellung 4636 Stücke:
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1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.45 EUR
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ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N04NM7V-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197c059fa6f2521 Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 256A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
auf Bestellung 4970 Stücke:
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44+5.77 EUR
68+3.44 EUR
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ISC011N04NM7VATMA1 448_ISC011N04NM7V.pdf
ISC011N04NM7VATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
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ISC011N04NM7VATMA1 Infineon-ISC011N04NM7V-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197c059fa6f2521
ISC011N04NM7VATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
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