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ISC012N04NM6ATMA1

ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC012N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d7a9f746c5301
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.26 EUR
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Technische Details ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 232A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISC012N04NM6ATMA1 nach Preis ab 1.33 EUR bis 5.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc012n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 INFINEON 3919295.pdf Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc012n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.67 EUR
72+2.4 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC012N04NM6_DataSheet_v02_00_EN-2942452.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.84 EUR
100+2 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
5000+1.33 EUR
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ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC012N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d7a9f746c5301 Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 11160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 INFINEON 3919295.pdf Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
70+3.34 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
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ISC012N04NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3753 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
48+3.67 EUR
72+2.4 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 13000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.25 EUR
10+2.84 EUR
100+2 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
5000+1.33 EUR
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ISC012N04NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 11160 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.48 EUR
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ISC012N04NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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47+5.4 EUR
70+3.34 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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