ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 1.19 EUR |
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Technische Details ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 232A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISC012N04NM6ATMA1 nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 3753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V |
auf Bestellung 12658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 232A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 232A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISC012N04NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |