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ISC023N03LF2SATMA1

ISC023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
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Technische Details ISC023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Weitere Produktangebote ISC023N03LF2SATMA1 nach Preis ab 0.64 EUR bis 3.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021 Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
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22+1 EUR
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ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021 Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
116+2.01 EUR
151+1.43 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021 Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
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ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies infineon_isc023n03lf2s_datasheet_en.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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ISC023N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
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ISC023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 4960 Stücke:
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ISC023N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 4960 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
116+2.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ISC023N03LF2SATMA1 infineon_isc023n03lf2s_datasheet_en.pdf
ISC023N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4970 Stücke:
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1+3.36 EUR
10+1.31 EUR
100+1.17 EUR
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