Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC023N03LF2SATMA1
ISC023N03LF2SATMA1

ISC023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021 Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISC023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISC023N03LF2SATMA1 nach Preis ab 0.58 EUR bis 1.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISC023N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912f66941021 Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.25 EUR
20+0.89 EUR
25+0.80 EUR
100+0.71 EUR
250+0.66 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 4475005.pdf Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH