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ISC025N06LM6ATMA1

ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-isc025n06lm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
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Technische Details ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC025N06LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 143 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.

Weitere Produktangebote ISC025N06LM6ATMA1 nach Preis ab 1.67 EUR bis 6.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC025N06LM6ATMA1 ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies infineon_isc025n06lm6_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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10+2.57 EUR
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2500+1.77 EUR
5000+1.67 EUR
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FET Type: N-Channel
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
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10+3.44 EUR
50+2.63 EUR
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ISC025N06LM6ATMA1 INFINEON infineon-isc025n06lm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ISC025N06LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 143 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4997 Stücke:
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100+2.62 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.05 EUR
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ISC025N06LM6ATMA1 INFINEON infineon-isc025n06lm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ISC025N06LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 143 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 4997 Stücke:
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MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
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Description: INFINEON - ISC025N06LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 143 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
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Description: INFINEON - ISC025N06LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 143 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 143A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
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