ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.86 EUR |
| 10+ | 4.54 EUR |
| 100+ | 3.22 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| 2500+ | 2.82 EUR |
| 5000+ | 2.68 EUR |
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Technische Details ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ISC025N08NM5LF2ATMA1 nach Preis ab 2.82 EUR bis 7.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V |
auf Bestellung 2404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V |
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