ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 2.04 EUR |
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Technische Details ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 179A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ISC030N10NM6ATMA1 nach Preis ab 2.38 EUR bis 6.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ISC030N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V |
auf Bestellung 6343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC030N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 3910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC030N10NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 179A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC030N10NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 179A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 208W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC030N10NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 179A Power dissipation: 208W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement |
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