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| 1+ | 7.32 EUR |
| 10+ | 5.26 EUR |
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| 250+ | 3.75 EUR |
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| 1000+ | 3.24 EUR |
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Technische Details ISC035N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC035N10NM5LF2ATMA1 nach Preis ab 2.95 EUR bis 7.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V |
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ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
ISC035N10NM5LF2ATMA1 |
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ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V |
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