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ISC046N04NM5ATMA1

ISC046N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_ISC046N04NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
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Technische Details ISC046N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 INFINEON 3154701.pdf Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
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