ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 44W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC0703NLSATMA1 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V |
auf Bestellung 13765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 44W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 7189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC0703NLSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
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