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ISC0703NLSATMA1

ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.5 EUR
15000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 44W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 44W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC0703NLS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 5202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.75 EUR
25000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6 Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
auf Bestellung 29929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
50+0.99 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
108+1.59 EUR
154+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
108+1.56 EUR
155+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 INFINEON 3437296.pdf Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
107+2.18 EUR
250+1.46 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 INFINEON 3437296.pdf Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
107+2.18 EUR
250+1.46 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.74 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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MOSFETs IFX FET 60V
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10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
auf Bestellung 29929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
50+0.99 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
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auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+2.33 EUR
108+1.59 EUR
154+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+2.33 EUR
108+1.56 EUR
155+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0703NLSATMA1 3437296.pdf
ISC0703NLSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
107+2.18 EUR
250+1.46 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0703NLSATMA1 3437296.pdf
ISC0703NLSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
107+2.18 EUR
250+1.46 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0703NLSATMA1 Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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