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Technische Details ISC078N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 0.0078 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC078N12NM6ATMA1 nach Preis ab 1.58 EUR bis 4.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ISC078N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V |
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ISC078N12NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 0.0078 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC078N12NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 0.0078 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| ISC078N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-channel MOSFET |
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ISC078N12NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V |
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