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ISC0802NLSATMA1

ISC0802NLSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC0802NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5988d16d8c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.08 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details ISC0802NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 INFINEON 3437297.pdf Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
250+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 INFINEON 3437297.pdf Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
87+2.67 EUR
250+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0802NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5988d16d8c Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V
auf Bestellung 12559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC0802NLS_DataSheet_v02_01_EN-2581263.pdf MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+4.71 EUR
100+3.75 EUR
250+3.67 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.57 EUR
5000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0802NLSATMA1 3437297.pdf
ISC0802NLSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 150A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.67 EUR
250+1.98 EUR
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ISC0802NLSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.59 EUR
87+2.67 EUR
250+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0802NLSATMA1 Infineon-ISC0802NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd5988d16d8c
ISC0802NLSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V
auf Bestellung 12559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0802NLSATMA1 Infineon_ISC0802NLS_DataSheet_v02_01_EN-2581263.pdf
ISC0802NLSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.68 EUR
10+4.71 EUR
100+3.75 EUR
250+3.67 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.57 EUR
5000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH