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ISC080N10NM6ATMA1

ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
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86+2.65 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 INFINEON 3624258.pdf Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
250+2.2 EUR
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 30 Stücke:
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5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 591 Stücke:
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1+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.09 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.49 EUR
5000+1.42 EUR
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ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 INFINEON 3624258.pdf Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
250+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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86+2.65 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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ISC080N10NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.55 EUR
250+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ISC080N10NM6ATMA1 Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211
ISC080N10NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ISC080N10NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.09 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.49 EUR
5000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC080N10NM6ATMA1 3624258.pdf
ISC080N10NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
250+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH