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ISC104N12LM6ATMA1

ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-isc104n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc104n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
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ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc104n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
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ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 INFINEON 4098640.pdf Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 5077 Stücke:
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ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a5faf537b Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
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ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 INFINEON 4098640.pdf Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
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64+3.64 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
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Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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