auf Bestellung 4444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.79 EUR |
| 10+ | 2.16 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 2500+ | 1.69 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISC16DP15LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC16DP15LMATMA1 nach Preis ab 1.98 EUR bis 4.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.304mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-45 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 75 V |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.304mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-45 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |