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Technische Details ISC16DP15LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC16DP15LMATMA1 nach Preis ab 2.14 EUR bis 5.10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) |
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ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC16DP15LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) |
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