Technische Details ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ISC230N10NM6ATMA1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 4.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 4140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 145000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 1096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 1096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 7575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
ISC230N10NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
ISC230N10NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| ISC230N10NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
auf Bestellung 4140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
auf Bestellung 145000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.89 EUR |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
auf Bestellung 1096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.05 EUR |
| 169+ | 1.01 EUR |
| 190+ | 0.88 EUR |
| 250+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
auf Bestellung 1096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 153+ | 1.14 EUR |
| 167+ | 1 EUR |
| 169+ | 0.95 EUR |
| 190+ | 0.82 EUR |
| 250+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
auf Bestellung 7575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 140+ | 1.25 EUR |
| 141+ | 1.21 EUR |
| 159+ | 1.06 EUR |
| 200+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 5000+ | 0.76 EUR |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.88 EUR |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.9 EUR |
| 81+ | 2.88 EUR |



