ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ISC230N10NM6ATMA1 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.04 EUR
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 7025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 145000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 1096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 1096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
auf Bestellung 7575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V |
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ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
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| ISC230N10NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 48W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 31A Power dissipation: 48W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhancement |
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