ISC750P10LMATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.3A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 4.38 EUR |
| 10+ | 3.05 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.80 EUR |
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Technische Details ISC750P10LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC750P10LMATMA1 nach Preis ab 1.76 EUR bis 4.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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ISC750P10LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 4660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC750P10LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC750P10LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC750P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 32 A, 0.075 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC750P10LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.3A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
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