ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

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Technische Details ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	ISC800P06LMATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs IFX FET > 60-80V	auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	1+ 3.34 EUR 10+ 2.09 EUR 100+ 1.38 EUR 500+ 1.1 EUR 1000+ 0.98 EUR 2500+ 0.89 EUR 5000+ 0.86 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

ISC800P06LMATMA1

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MOSFETs IFX FET > 60-80V

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