ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 127+ | 1.17 EUR |
| 159+ | 0.90 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISC800P06LMATMA1 nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ISC800P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISC800P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 4647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC800P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V |
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ISC800P06LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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ISC800P06LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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ISC800P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC800P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V |
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