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ISC800P06LMATMA1

ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies

infineon-isc800p06lm-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies infineon-isc800p06lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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157+1.04 EUR
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ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC800P06LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a9e4c89536f2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
auf Bestellung 4594 Stücke:
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7+3.14 EUR
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ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 INFINEON 4098643.pdf Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4599 Stücke:
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70+3.59 EUR
104+2.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 INFINEON 4098643.pdf Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4599 Stücke:
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100+3.59 EUR
104+2.24 EUR
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ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC800P06LM_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 1990 Stücke:
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1+3.97 EUR
10+2.49 EUR
100+1.64 EUR
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2500+1.06 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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126+1.34 EUR
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Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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ISC800P06LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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70+3.59 EUR
104+2.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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ISC800P06LMATMA1 4098643.pdf
ISC800P06LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4599 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ISC800P06LMATMA1 Infineon_ISC800P06LM_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISC800P06LMATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+3.97 EUR
10+2.49 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.06 EUR
5000+1.02 EUR
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