Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISCH42N04LM7ATMA1
ISCH42N04LM7ATMA1

ISCH42N04LM7ATMA1 Infineon Technologies


infineon_5_27_2024_DS_ISCH42N04LM7_20240424-3453373.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.58 EUR
10+5.51 EUR
25+5.21 EUR
100+4.47 EUR
250+4.22 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISCH42N04LM7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 541A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote ISCH42N04LM7ATMA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 Hersteller : INFINEON 4256795.pdf Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 541A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 Hersteller : INFINEON 4256795.pdf Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isch42n04lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 61A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isch42n04lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 61A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISCH42N04LM7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fdd66f1e27566 Description: ISCH42N04LM7ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISCH42N04LM7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fdd66f1e27566 Description: ISCH42N04LM7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH