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| 100+ | 4.47 EUR |
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| 500+ | 3.96 EUR |
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Technische Details ISCH42N04LM7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 541A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISCH42N04LM7ATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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ISCH42N04LM7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 541A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISCH42N04LM7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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ISCH42N04LM7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 61A T/R |
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ISCH42N04LM7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 61A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISCH42N04LM7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISCH42N04LM7ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
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ISCH42N04LM7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISCH42N04LM7ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
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