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Technische Details ISG0616N10NM5HSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WHITFN-U01, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 167W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ISG0616N10NM5HSCATMA1 nach Preis ab 4.08 EUR bis 8.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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ISG0616N10NM5HSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1 |
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ISG0616N10NM5HSCATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WHITFN-U01 Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 167W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| ISG0616N10NM5HSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005754001 |
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ISG0616N10NM5HSCATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1 |
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