ISK036N03LM5AUSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V

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Technische Details ISK036N03LM5AUSA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	ISK036N03LM5AUSA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-VSON-6-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V	auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 8+ 2.2 EUR 13+ 1.39 EUR 100+ 0.92 EUR 500+ 0.72 EUR 1000+ 0.66 EUR Mindestbestellmenge: 8 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	ISK036N03LM5AUSA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 16.5A T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	ISK036N03LM5AUSA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-VSON-6-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH