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ISL6613AEIBZ-T Renesas


isl6612a-isl6613a-datasheet
Hersteller: Renesas
Driver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP T/R
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Technische Details ISL6613AEIBZ-T Renesas

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISL6613AEIBZ-T Renesas / Intersil isl6612a-13a-1302261.pdf Gate Drivers SYNCH BUCK MSFT HV DRVR 8LD EP -- DISAB
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